SO16, das Stromkreis des Verstärker-TDA2030 Automobil-TI LMV842QMM/NOPB anbringt

Eigenschaften für das LMV842-Q1

• AutomobilAEC-Q100 eignungsprüfungs-Anleitung mit dem Folgen:
  • Gerät-Temperatur-Grad 1: – 40°C zu Temperatur +125°C AmbientOperating
  • Klassifikation Level2 Gerät HBMs ESD
  • Geheimhaltungsgrad C3 des Gerät-CDM ESD
• Wenn nicht anders vermerkt typische Werte an
  TA = 25 °C, V+ = 5 V.
• Kleines 5-Pin SC70 Paket (2,00 Millimeter × 1,25 Millimeter × 0,95 Millimeter)
• Breiter Versorgungs-Spannungsbereich: 2,7 V bis 12 V
• Spezifizierte Leistung bei 3,3 V, 5 V und ±5 V
• Niedriger Versorgungs-Strom: 1 MA pro Kanal
• Einheits-Gewinn-Bandbreite: 4,5 MHZ
• Leerlaufverstärkung: DB 133
• Eingegebene Offsetspannung: 500 µV Maximum
• Eingegebener schräger Strom: 0,3 PA
• CMRR bei DB 112 und PSSR bei DB 108
• Eingangsspannungs-Geräusche: 20 nV/√Hz
• Temperaturspanne: −40°C zu 125°C
• Schiene-zu-Schienen-Input und Ertrag (RRIO)

Beschreibung für das LMV842-Q1

Das devicesare LMV84x-Q1 Schwachstrom- und Niederleistungsoperationsverstärker, die mit Versorgungsspannungen Erstreckungsfrom2.7 V bis 12 V funktionieren und Schiene-zuschieneninput- und -ertragfähigkeit haben. Ihre niedrige Offsetspannung, lowsupply gegenwärtiges und CMOS-Input macht sie ideal für andbattery-betriebene Anwendungen der hochohmigen Sensor-Schnittstelle.

Das einzelne LMV841-Q1 isoffered im Paket des Stiftes SC70 der Raumersparnis 5, im Doppel-LMV842-Q1 im 8 Stift VSSOP und in 8 Paketen des Stift SOIC und im quadLMV844-Q1 in den 14 Paketen des Stift TSSOP and14-pin SOIC. Diese Päckchen sind ideale Lösungen für Bereich-begrenzte andportable Elektronik PCBs.

Die LMV841-Q1, die LMV842-Q1 und die LMV844-Q1 enthalten Enhancedmanufacturing und Stützprozesse für den Automobilmarkt, einschließlich Defekt detectionmethodologies. Zuverlässigkeitsqualifikation ist mit den Anforderungen und der Temperatur konform, die im Standard AEC-Q100 gradesdefined sind.