PBSS4260PAN,115
fabricant:
Nexperia
Beschreibung:
Bipolare Transistoren - BJT 60V 2A NPN/NPN lo VCEsat Transistor
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Polarität des Transistors::
NPN
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montage-Stil::
SMD/SMT
Maximaler Gleichstrom des Kollektors::
3 A
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
60 V
Packung / Koffer::
Die Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 enthalten.
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Gewinnbandbreite Produkt fT::
140 MHZ
Konfiguration::
Zweifach
Kollektor-Basisspannung VCBO::
60 V
Emittenten-Basisspannung VEBO::
7 V
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
70mV
Hersteller::
Nexperia
Einleitung
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