Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 übermittelt.
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
Bipolare Transistoren - BJT AF TRANSISTOR
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Polarität des Transistors::
NPN
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montage-Stil::
SMD/SMT
Maximaler Gleichstrom des Kollektors::
200 mA
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
45 V
Packung / Koffer::
SOT-363-6
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Gewinnbandbreite Produkt fT::
250 MHz
Konfiguration::
Zweifach
Kollektor-Basisspannung VCBO::
50 V
Reihe::
847 v. Chr.
Emittenten-Basisspannung VEBO::
6 V
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
200 Millivolt
Hersteller::
Infineon Technologies
Einleitung
Der BC847SH6327XTSA1, von Infineon Technologies, ist Bipolar Transistors - BJT. Was wir anbieten, haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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