IMT1AT110
Spezifikationen
Polarität des Transistors::
PNP
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montage-Stil::
SMD/SMT
Maximaler Gleichstrom des Kollektors::
0,15 A
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
- 50 V
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Gewinnbandbreite Produkt fT::
140 MHZ
Konfiguration::
Zweifach
Kollektor-Basisspannung VCBO::
- 60 V
Emittenten-Basisspannung VEBO::
- 6 V
Hersteller::
ROHM Halbleiter
Einleitung
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