BC847BE6327XT
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
Bipolare Transistoren - BJT NPN 45 V 100 mA
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Polarität des Transistors::
NPN
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montage-Stil::
SMD/SMT
Maximaler Gleichstrom des Kollektors::
200 mA
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
45 V
Packung / Koffer::
SOT-23-3
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Gewinnbandbreite Produkt fT::
250 MHz
Konfiguration::
Zweifach
Kollektor-Basisspannung VCBO::
50 V
Emittenten-Basisspannung VEBO::
6 V
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
200 Millivolt
Hersteller::
Infineon Technologies
Einleitung
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