DXT5551-13
Spezifikationen
Polarität des Transistors::
NPN
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Maximaler Gleichstrom des Kollektors::
600 MA
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
mit einer Leistung von 160 V
Packung / Koffer::
SOT-89-3
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Gewinnbandbreite Produkt fT::
300 MHz
Konfiguration::
Einzigartig
Kollektor-Basisspannung VCBO::
180 V
Reihe::
DXT5551
Emittenten-Basisspannung VEBO::
6 V
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
200 Millivolt
Hersteller::
Dioden eingebunden
Einleitung
Die DXT5551-13, von Diodes Incorporated, ist Bipolar Transistors - BJT. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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Die Angabe des Zulassungsdatums ist nicht erforderlich.
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Die Angabe des Zulassungsdatums ist nicht erforderlich. |
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323
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