IRF3808STRLPBF
Spezifikationen
Polarität des Transistors::
N-Kanal
Technologie::
Si
Produktkategorie:
MOSFET
Montage-Stil::
SMD/SMT
Packung / Koffer::
TO-252-3
Höchstbetriebstemperatur::
+ 175 C
Vds - Abflussspannung::
75 V
Verpackung::
Spirale
Vgs th - Tor-Quell-Schwellenspannung:
4 V
Id - Kontinuierlicher Abfluss::
106 A
Rds On - Entwässerungswiderstand:
7 mOhms
Anzahl der Kanäle::
1 Kanal
Qg - Torladung::
220 n. Chr.
Hersteller::
Infineon Technologies
Einleitung
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