DMN1019UFDE-7
fabricant:
Dioden eingebunden
Beschreibung:
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (max.)::
±8V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C::
11A (Ta)
@ qty::
0
FET-Typ:
N-Kanal
Montageart::
Oberflächenbefestigung
Schnittstellenladung (Qg) (Max) @ Vgs::
50.6nC @ 8V
Hersteller::
Dioden eingebunden
Mindestmenge::
3000
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet)::
1.2V, 4.5V
Fabrikbestand::
0
Betriebstemperatur::
-55 °C bis 150 °C (TJ)
FET-Eigenschaft::
-
Reihe::
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds::
2425pF @ 10V
Lieferanten-Gerätepaket::
U-DFN2020-6 (Typ E)
Teilstatus::
Aktiv
Verpackung::
Band und Rolle (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
10 mOhm @ 9,7A, 4,5 V
Leistungsausfall (maximal)::
690 mW (Ta)
Packung / Koffer::
6-UDFN stellte Auflage heraus
Technologie::
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ ID::
800mV @ 250μA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss)::
12 V
Einleitung
Der DMN1019UFDE-7, von Diodes Incorporated, ist ein MOSFET. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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