SQJ850EP-T1_GE3
Spezifikationen
Polarität des Transistors::
N-Kanal
Technologie::
Si
Id - Kontinuierlicher Abfluss::
24 A
Montage-Stil::
SMD/SMT
Handelsname::
TrenchFET
Mindestbetriebstemperatur::
- 55 C
Packung / Koffer::
Dies ist der Fall.
Höchstbetriebstemperatur::
+ 175 C
Kanalmodus::
Verbesserung
Vds - Abflussspannung::
60 V
Verpackung::
Spirale
Vgs th - Tor-Quell-Schwellenspannung:
1,5 V
Produktkategorie:
MOSFET
Rds On - Entwässerungswiderstand:
0.019 Ohm
Anzahl der Kanäle::
1 Kanal
Vgs - Spannung der Torquelle::
+/- 20 V
Qg - Torladung::
30 nC
Hersteller::
Vishay Halbleiter
Einleitung
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