IPD127N06LGBTMA1
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 50A bis 252
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (max.)::
± 20V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C::
50A (Tc)
@ qty ::
0
FET-Typ:
N-Kanal
Montageart::
Oberflächenbefestigung
Schnittstellenladung (Qg) (Max) @ Vgs::
69nC @ 10V
Hersteller::
Infineon Technologies
Mindestmenge::
2500
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet)::
4.5V, 10V
Factory Stock ::
0
Betriebstemperatur::
-55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Eigenschaft::
-
Reihe::
OptiMOS™
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds::
2300pF @ 30V
Lieferanten-Gerätepaket::
PG-TO252-3
Teilstatus::
Nicht für neue Designs
Verpackung::
Band und Rolle (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
12.7 mOhm @ 50A, 10V
Leistungsausfall (maximal)::
136W (Tc)
Packung / Koffer::
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie::
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ ID::
2V @ 80μA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss)::
60 V
Einleitung
Die IPD127N06LGBTMA1, von Infineon Technologies, ist ein MOSFET. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ: