Die Ausrüstung ist in Form von
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
N-Kanal 800 V, 1,50 OHM TYP.
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (max.)::
±30V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C::
4A (Tc)
@ qty::
0
FET-Typ:
N-Kanal
Montageart::
Oberflächenbefestigung
Schnittstellenladung (Qg) (Max) @ Vgs::
5nC @ 10V
Hersteller::
STMikroelektronik
Mindestmenge::
1000
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet)::
10 V
Fabrikbestand::
0
Betriebstemperatur::
-55 °C bis 150 °C (TJ)
FET-Eigenschaft::
-
Reihe::
MDmesh™
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds::
177pF @ 100V
Lieferanten-Gerätepaket::
D2PAK
Teilstatus::
Aktiv
Verpackung::
Band und Rolle (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
1.75 Ohm @ 2A, 10V
Leistungsausfall (maximal)::
60W (Tc)
Packung / Koffer::
Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Technologie::
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ ID::
5V @ 100µA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss)::
800 V
Einleitung
Der STB5N80K5 von STMicroelectronics ist ein MOSFET. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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