IPD50R950CEBTMA1
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 500V 4.3A DPAK-2 CoolMOS CE
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Polarität des Transistors::
N-Kanal
Technologie::
Si
Id - Kontinuierlicher Abfluss::
6,6 A
Montage-Stil::
SMD/SMT
Handelsname::
CoolMOS
Mindestbetriebstemperatur::
- 55 C
Packung / Koffer::
TO-252-3
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Kanalmodus::
Verbesserung
Vds - Abflussspannung::
500 V
Verpackung::
Spirale
Vgs th - Tor-Quell-Schwellenspannung:
2,5 V
Produktkategorie:
MOSFET
Rds On - Entwässerungswiderstand:
860 mOhms
Anzahl der Kanäle::
1 Kanal
Vgs - Spannung der Torquelle::
20 V
Qg - Torladung::
10.5 nC
Hersteller::
Infineon Technologies
Einleitung
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