RN2906, LF
fabricant:
Toshiba
Beschreibung:
Bipolare Transistoren - vorgebildet US6-PLN
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Polarität des Transistors::
PNP
Produktkategorie:
Bipolare Transistoren - vorgebildet
Montage-Stil::
SMD/SMT
Typisches Widerstandsverhältnis::
0.1
PD - Verlustleistung::
200 mW
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
- 50 V
Packung / Koffer::
US-6
Gleichstromkollektor/Basisgewinn hfe Min::
80
Verpackung::
Spirale
Typischer Eingangswiderstand::
4,7 kOhm
Reihe::
RN2906
Hersteller::
Toshiba
Kontinuierlicher Sammlerstrom::
- 100 mA
Einleitung
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MOQ: