NGTB40N120S3WG
fabricant:
Ein- und zweimal
Beschreibung:
IGBT-Transistoren IGBT 1200V 40A FS3 niedrige Frequenz
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Leckage-Strom aus dem Gate-Emitter::
Na 200
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montage-Stil::
Durchs Loch
Dauerkollektorstrom bei 25 ° C::
160 A
PD - Verlustleistung::
454 W
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
1,2 KV
Packung / Koffer::
TO-247-3
Höchstbetriebstemperatur::
+ 175 C
Höchstspannung des Toremittels::
+/- 20 V
Verpackung::
Schlauch
Konfiguration::
Einzigartig
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
2,3 V
Hersteller::
Ein- und zweimal
Einleitung
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