IRG4PH50UDPBF
fabricant:
Infineon Technologies
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montage-Stil::
Durchs Loch
Dauerkollektorstrom bei 25 ° C::
45 A
PD - Verlustleistung::
200 Watt
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
1,2 KV
Packung / Koffer::
TO-247-3
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Höchstspannung des Toremittels::
+/- 20 V
Verpackung::
Schlauch
Konfiguration::
Einzigartig
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
3,7 V
Hersteller::
Infineon Technologies
Einleitung
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