StgW25M120DF3
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
IGBT-Transistoren IGBT und Leistungs-Bipolar
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Leckage-Strom aus dem Gate-Emitter::
250 nA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montage-Stil::
Durchs Loch
Dauerkollektorstrom bei 25 ° C::
50 A
PD - Verlustleistung::
326 W
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
1200 V
Packung / Koffer::
TO-247-3
Höchstbetriebstemperatur::
+ 175 C
Höchstspannung des Toremittels::
20 V
Verpackung::
Schlauch
Konfiguration::
Einzigartig
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
1,85 V
Hersteller::
STMikroelektronik
Einleitung
Die STGW25M120DF3, von STMicroelectronics, sind IGBT Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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