BF776 H6327
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
Trans-RF NPN 1,8 GHz 4,0 V SOT343
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal)::
4.7V
Produktkategorie:
HF-Bipolartransistoren
Gewinn::
24 dB
Fabrikbestand::
0
Transistortyp::
NPN
Mindestmenge::
12000
Lieferanten-Gerätepaket::
Der Begriff "Fertigung" wird in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 eingeführt.
Geräuschwerte (dB Typ @ f)::
0.8 dB ~ 1.3 dB @ 1.8 GHz ~ 6 GHz
Teilstatus::
Veraltet
Strom - Kollektor (Ic) (maximal)::
50 mA
Leistung - Max.:
200mw
Verpackung::
Band und Rolle (TR)
@ qty::
0
Häufigkeit - Übergang::
46 GHz
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce::
180 @ 30mA, 3V
Betriebstemperatur::
150°C (TJ)
Packung / Koffer::
SC-82A, SOT-343
Montageart::
Oberflächenbefestigung
Reihe::
-
Hersteller::
Infineon Technologies
Einleitung
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