NFAQ0560R43T
fabricant:
Ein- und zweimal
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Leistungstreibermodule
Typ:
IGBT
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Mfr:
Ein- und zweimal
Spannung:
600 V
Packung / Gehäuse:
38-PowerDIP Modul (0,610", 24,00mm), 24 Leitungen
Ausstattung:
3 Phasen-Inverter
Spannung - Isolierung:
2000 Vrms
Einleitung
Leistungsbetreibermodul IGBT 3-Phasen-Wechselrichter 600 V 38-PowerDIP-Modul (0,610", 24,00mm), 24 Leads
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