Die Daten sind in der Liste aufgeführt.
fabricant:
NTE Electronics, Inc
Beschreibung:
Wird die Angabe des Wertes des Wertes des Wertes des Wertes des Wertes des Wertes ermittelt, so wird
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare HF-Transistoren
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
50 mA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
NPN
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
600MHz
Paket:
Tasche
Reihe:
-
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
15 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3
Mfr:
NTE Electronics, Inc
Geräuschwerte (dB Typ @ f):
6 dB @ 60 MHz
Leistung - Max.:
225mW
Gewinn:
15 dB
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
20 @ 3mA, 1V
Einleitung
HF-Transistor NPN 15V 50mA 600MHz 225mW Oberflächenaufbau SOT-23-3
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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MOQ: