BFG 19S E6327
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
Wird die Anlage nicht in Betrieb genommen, wird die Anlage in Betrieb genommen.
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare HF-Transistoren
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
210mA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
NPN
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
5,5 GHz
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
15 V
Lieferanten-Gerätepaket:
PG-SOT223-4
Mfr:
Infineon Technologies
Geräuschwerte (dB Typ @ f):
2 dB ~ 3 dB @ 900 MHz ~ 1,8 GHz
Leistung - Max.:
1W
Gewinn:
14dB bis 8,5dB
Packung / Gehäuse:
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 au
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
70 @ 70mA, 8V
Basisproduktnummer:
BFG 19
Einleitung
HF-Transistor NPN 15V 210mA 5.5GHz 1W Oberflächenhalter PG-SOT223-4
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Lagerbestand:
MOQ: