Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgenommen.
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistorarrays
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 mA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
2 NPN (Doppel)
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
250 MHz
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
600mV @ 5mA, 100mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
65V
Lieferanten-Gerätepaket:
PG-SOT363-PO
Mfr:
Infineon Technologies
Strom - Sammlergrenze (maximal):
15nA (ICBO)
Leistung - Max.:
250mW
Packung / Gehäuse:
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
200 @ 2mA, 5V
Basisproduktnummer:
BC846S
Einleitung
Bipolares (BJT) Transistor-Array 2 NPN (Dual) 65 V 100 mA 250 MHz 250 mW Oberflächenmontage PG-SOT363-PO
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MOQ: