Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten werden in Anhang II der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführt.
fabricant:
Panjit International Inc.
Beschreibung:
SOT-363, Transistor
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistorarrays
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
200 mA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
2 NPN (Doppel)
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
-
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 5mA, 50mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
40 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-363
Mfr:
Panjit International Inc.
Strom - Sammlergrenze (maximal):
50nA
Leistung - Max.:
225mW
Packung / Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
100 @ 10mA, 1V
Basisproduktnummer:
Die Daten werden in der Liste aufgeführt.
Einleitung
Bipolarer (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 200mA 225mW Oberflächenaufbau SOT-363
Verwandte Produkte
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungskosten. |
DUAL GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
|
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ: