JAN2N5796
fabricant:
Mikrochiptechnik
Beschreibung:
NPN-Transistor
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistorarrays
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
600 mA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
2 PNP (zweifach)
Typ der Montage:
Durchs Loch
Häufigkeit - Übergang:
-
Paket:
Schüttgut
Reihe:
Militärische, MIL-PRF-19500/496
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
1.6V @ 50mA, 500mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
60 V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-78-6
Mfr:
Mikrochiptechnik
Strom - Sammlergrenze (maximal):
10 μA (ICBO)
Leistung - Max.:
600 mW
Packung / Gehäuse:
Metall TO-78-6 kann
Betriebstemperatur:
-65°C ~ 175°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
100 @ 150mA, 10V
Basisproduktnummer:
2N5796
Einleitung
Bipolar (BJT) Transistor-Array 2 PNP (Dual) 60V 600mA 600mW Durch Loch TO-78-6
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