Die in Absatz 1 genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführt.
fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistorarrays
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
200 mA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
2 NPN (Doppel)
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
300 MHz
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 5mA, 50mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
40 V
Lieferanten-Gerätepaket:
PG-SOT363-PO
Mfr:
Infineon Technologies
Strom - Sammlergrenze (maximal):
50nA (ICBO)
Leistung - Max.:
330 mW
Packung / Gehäuse:
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
100 @ 10mA, 1V
Basisproduktnummer:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Einleitung
Bipolarer (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 200mA 300MHz 330mW Oberflächenhalter PG-SOT363-PO
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MOQ: