PEMD30.115
fabricant:
NXP USA Inc.
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistor-Arrays, vorgebildet
Produktstatus:
Aktiv
Paket:
Schüttgut
Reihe:
*
Mfr:
NXP USA Inc.
Basisproduktnummer:
PEMD3
Einleitung
Vorgebildeter bipolarer Transistor (BJT)
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Lagerbestand:
MOQ: