FMA2AT148
fabricant:
ROHM Halbleiter
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistor-Arrays, vorgebildet
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 mA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
2 PNP - Vorverzerrt (Dual)
Häufigkeit - Übergang:
250 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SMT5
Widerstand - Basis (R1):
47 kOhms
Mfr:
ROHM Halbleiter
Widerstand - Emitterbasis (R2):
47 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
300 mW
Packung / Gehäuse:
SC-74A, SOT-753
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
68 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer:
FMA2
Einleitung
Bipolartransistor mit vorgebildetem Anschluss (BJT) 2 PNP - Vorgebildeter Anschluss (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Oberflächenhalter SMT5
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ: