NXH350N100H4Q2F2SG
fabricant:
Ein- und zweimal
Beschreibung:
IC-Module PIM 350A 1000V
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
303 A
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Tray
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
Modul
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1.8V @ 15V, 375A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1000 V
Lieferanten-Gerätepaket:
42-PIM/Q2PACK (93x47)
Mfr:
Ein- und zweimal
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 150 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
1 mA
IGBT-Typ:
Trench Field Stopp
Leistung - Max.:
592 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
24.146 nF @ 20 V
Ausstattung:
Dreistufiger Wechselrichter
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
NXH350
Einleitung
IGBT-Modul Gräbenfeldstopp Drei-Ebenen-Wechselrichter 1000 V 303 A 592 W Fahrgestellmontage 42-PIM/Q2PACK (93x47)
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Die Bezeichnung "FAMG2G200US60"
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Die Beförderung wird von den zuständigen Behörden durchgeführt.
IGBT MODULE 600V 75A 310W 7PMGA
Die Ausrüstung ist in Form von
IGBT MODULE 600V 50A 250W 7PMGA
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Die Beförderungsmasse beträgt: |
IGBT MODULE 600V 100A 400W 7PMGA
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Die Bezeichnung "FAMG2G200US60" |
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Die Beförderung wird von den zuständigen Behörden durchgeführt. |
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Die Ausrüstung ist in Form von |
IGBT MODULE 600V 50A 250W 7PMGA
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