MIEB101H1200EH
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
IGBT-Module 1200V 183A 630W E3
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
183 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schachtel
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
E3
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.2V @ 15V, 100A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
E3
Mfr:
IXYS
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 125 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
300 µA
IGBT-Typ:
-
Leistung - Max.:
630 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
7.43 nF @ 25 V
Ausstattung:
Vollbrücke-Inverter
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
MIEB101
Einleitung
IGBT-Modul Vollbrückenumrichter 1200 V 183 A 630 W Fahrgestell E3
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