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Getrennte Halbleiter-Module
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Lagerbestand | Zulassung | |
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DD89N12K-K |
Diskrete Halbleitermodule Richterdiodenmodul 1200V 89A
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Infineon Technologies
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MCC72-18io8B |
Diskrete Halbleitermodule 72 Ampere 1800 V
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IXYS
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MCD44-14io8B |
Diskrete Halbleitermodule 44 Ampere 1400 V
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IXYS
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MCD250-08io1 |
Diskrete Halbleitermodule 250 Ampere 800 V
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IXYS
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MCC26-14io8B |
Diskrete Halbleitermodule 26 Ampere 1400 V
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IXYS
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DD89N16K-A |
Diskrete Halbleitermodule Richterdiodenmodul 1600V 89A
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Infineon Technologies
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DD170N16S |
Diskrete Halbleitermodule 34 mm Lötverbindungsrichtigungsdiode
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Infineon Technologies
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MDD44-14N1B |
Diskrete Halbleitermodule 44 Ampere 1400 V
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IXYS
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TZ630N24KOF |
Diskrete Halbleitermodule 2800V 1500A Einzel
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Infineon Technologies
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VKM40-06P1 |
Diskrete Halbleitermodule 40 Ampere 600 V
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IXYS
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TD104N14KOF |
Diskrete Halbleitermodule 1400V 160A
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Infineon Technologies
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MCD72-18io8B |
Diskrete Halbleitermodule 72 Ampere 1800 V
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IXYS
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MCD310-16io1 |
Diskrete Halbleitermodule 310 Ampere 1600 V
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IXYS
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ZY250 |
Diskrete Halbleitermodule mit Schlüsseldoppel
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IXYS
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Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die Produktion von |
Diskrete Halbleitermodule 1600V 900A DUAL
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Infineon Technologies
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DZ435N40K |
Getrennte Halbleiter-Module
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Infineon Technologies
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Die Ausrüstung ist in Form von |
Diskrete Halbleitermodule 30 Ampere 1200 V
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IXYS
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MDD26-18N1B |
Diskrete Halbleitermodule 26 Ampere 1800 V
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IXYS
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MCC72-12io1B |
Diskrete Halbleitermodule STANDARD SCR 1200V, 72A
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IXYS
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DD700N22K |
Getrennte Halbleiter-Module
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Infineon Technologies
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MWI200-06A8 |
Diskrete Halbleitermodule NPT IGBT 600V, 200A
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IXYS
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DZ540N20K |
Diskrete Halbleitermodule 2000V 1150A
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Infineon Technologies
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MCC72-12io8B |
Diskrete Halbleitermodule 72 Ampere 1200 V
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IXYS
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MCC250-12io1 |
Diskrete Halbleitermodule 250 Ampere 1200 V
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IXYS
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V61-14.100NS |
Getrennte Halbleiter-Module
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Infineon Technologies
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