DNBT8105-7
fabricant:
Dioden eingebunden
Beschreibung:
Bipolare Transistoren - BJT 1A
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Polarität des Transistors::
NPN
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montage-Stil::
SMD/SMT
Maximaler Gleichstrom des Kollektors::
2 A
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
60 V
Packung / Koffer::
SOT-23-3
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Gewinnbandbreite Produkt fT::
150 MHZ
Konfiguration::
Einzigartig
Kollektor-Basisspannung VCBO::
80 V
Reihe::
DNBT8
Emittenten-Basisspannung VEBO::
5 V
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
500 Millivolt
Hersteller::
Dioden eingebunden
Einleitung
Die DNBT8105-7, von Diodes Incorporated, ist Bipolar Transistors - BJT.was wir anbieten haben wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt,die in Original-und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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Die Angabe des Zulassungsdatums ist nicht erforderlich.
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Die Angabe des Zulassungsdatums ist nicht erforderlich. |
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323
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