RN1311 ((TE85L,F)
fabricant:
Toshiba
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Polarität des Transistors::
NPN
Produktkategorie:
Bipolare Transistoren - vorgebildet
Montage-Stil::
SMD/SMT
PD - Verlustleistung::
100 mW
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
50 V
Packung / Koffer::
SC-70
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Gleichstromkollektor/Basisgewinn hfe Min::
120
Verpackung::
Spirale
Konfiguration::
Einzigartig
Reihe::
RN1311
Typischer Eingangswiderstand::
10 kOhms
Spitzenstrom des Gleichstromkollektors::
100 MA
Hersteller::
Toshiba
Kontinuierlicher Sammlerstrom::
100 MA
Einleitung
Die RN1311 ((TE85L,F), von Toshiba, sind Bipolar Transistors - Pre-Biased.was wir anbieten haben wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt,die in Original und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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