RN1901 ((T5L,F,T)
fabricant:
Toshiba
Beschreibung:
Bipolare Transistoren - vorgebildeter Gen Trans BRT NPN US6, 50V, 100A 100mA
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Polarität des Transistors::
NPN
Produktkategorie:
Bipolare Transistoren - vorgebildet
Montage-Stil::
SMD/SMT
Typisches Widerstandsverhältnis::
1
PD - Verlustleistung::
200 mW
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
50 V
Packung / Koffer::
US-6
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Gleichstromkollektor/Basisgewinn hfe Min::
30
Verpackung::
Spirale
Spitzenstrom des Gleichstromkollektors::
100 MA
Konfiguration::
Zweifach
Reihe::
RN1901
Typischer Eingangswiderstand::
4,7 kOhm
Höchstbetriebsfrequenz::
250 MHz (Art)
Hersteller::
Toshiba
Kontinuierlicher Sammlerstrom::
100 MA
Einleitung
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