RN2111MFV,L3F
fabricant:
Toshiba
Beschreibung:
Bipolare Transistoren - Vorgebildeter Bias-Widerstand eingebauter Transistor
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Polarität des Transistors::
PNP
Produktkategorie:
Bipolare Transistoren - vorgebildet
Montage-Stil::
SMD/SMT
PD - Verlustleistung::
150 mW
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
- 50 V
Packung / Koffer::
SOT-723-3
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Gleichstromkollektor/Basisgewinn hfe Min::
120
Verpackung::
Spirale
Konfiguration::
Einzigartig
Reihe::
RN2111
Typischer Eingangswiderstand::
10 kOhms
Hersteller::
Toshiba
Kontinuierlicher Sammlerstrom::
- 100 mA
Einleitung
Die RN2111MFV, L3F, von Toshiba, sind Bipolar Transistoren - Pre-Biased. Was wir anbieten, haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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