IXGK35N120BD1
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 70 Ampere 1200 V 3,3 V Rds
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montage-Stil::
Durchs Loch
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
1200 V
Packung / Koffer::
TO-264AA-3
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Höchstspannung des Toremittels::
+/- 20 V
Verpackung::
Schlauch
Konfiguration::
Einzigartig
Hersteller::
IXYS
Einleitung
Die IXGK35N120BD1, von IXYS, sind IGBT Transistoren. Was wir anbieten, haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Verwandte Produkte
IXGH17N100AU1
IGBT Transistors 17 Amps 1000V
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
IGBT Transistors GenX3 1200V IGBTs
IXGH40N120B2D1
IGBT Transistors IGBT, Diode 1200V, 75A
IXGH15N120CD1
IGBT Transistors 30 Amps 1200V 3.8 Rds
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
IGBT Transistors 75 Amps 1200V 3.3 Rds
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht.
IGBT Transistors 75Amps 1200V
IXGH48N60A3D1
IGBT Transistors G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 48A
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.
IGBT Transistors 15khz-40khz Power Device
IXGA15N120B
IGBT Transistors 30 Amps 1200V 3.2 Rds
IXBX50N360HV
IGBT Transistors 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
IGBT Transistors 150Amps 600V
IXYN100N120B3H1
IGBT Transistors
Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Berechnung von Fahrzeugen, die in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG aufgeführt sind.
IGBT Transistors 400 Amps 300V
IXBF40N160
IGBT Transistors 40 Amps 1600V
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ: