Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht.
fabricant:
IXYS
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 75 Ampere 1200 V
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Leckage-Strom aus dem Gate-Emitter::
Na 100
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montage-Stil::
Durchs Loch
Dauerkollektorstrom bei 25 ° C::
75 A
PD - Verlustleistung::
380 W
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
1,2 KV
Packung / Koffer::
TO-247-3
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Verpackung::
Schlauch
Höchstspannung des Toremittels::
+/- 20 V
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
4,4 V
Hersteller::
IXYS
Einleitung
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