STGW60V60F
fabricant:
STMikroelektronik
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 600V 60A-Grench Gate 1,8V Vce IGBT
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montage-Stil::
Durchs Loch
Dauerkollektorstrom bei 25 ° C::
80 A
PD - Verlustleistung::
375 W
Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::
600 V
Packung / Koffer::
TO-247-3
Höchstbetriebstemperatur::
+ 175 C
Höchstspannung des Toremittels::
+/- 20 V
Verpackung::
Schlauch
Konfiguration::
Einzigartig
Sammler-Emitter-Sättigungsspannung::
2,35 V
Hersteller::
STMikroelektronik
Einleitung
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