2SC5606-T1-A
fabricant:
Renesas Electronics America Inc. ist eine Firma, die
Beschreibung:
BIPOLARER TRANSISTOR mit kleinem Signal
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare HF-Transistoren
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
35 mA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
NPN
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
21 GHz
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
3.3V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-523
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. ist eine Firma, die
Geräuschwerte (dB Typ @ f):
1.2 dB @ 2 GHz
Leistung - Max.:
115 mW
Gewinn:
14 dB
Packung / Gehäuse:
SOT-523
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
60 @ 5mA, 2V
Einleitung
HF-Transistor NPN 3.3V 35mA 21GHz 115mW Oberflächenbefestigung SOT-523
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