2SC3357-T1-A
fabricant:
Renesas Electronics America Inc. ist eine Firma, die
Beschreibung:
RF 0.1A, Ultra-Hochfrequenzband
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare HF-Transistoren
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 mA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
NPN
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
6.5 GHz
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
12 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-89
Mfr:
Renesas Electronics America Inc. ist eine Firma, die
Geräuschwerte (dB Typ @ f):
10,8 dB @ 1 GHz
Leistung - Max.:
1.2W
Gewinn:
10 dB
Packung / Gehäuse:
TO-243AA
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
50 @ 20mA, 10V
Einleitung
HF-Transistor NPN 12V 100mA 6,5GHz 1,2W Oberflächenhalter SOT-89
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