BCM847BV,115
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistorarrays
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 mA
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Transistortyp:
2 NPN- (Dual-) abgestimmte Paare
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
250 MHz
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
400mV @ 5mA, 100mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
45 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-666
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Strom - Sammlergrenze (maximal):
15nA (ICBO)
Leistung - Max.:
300 mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln:
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
200 @ 2mA, 5V
Basisproduktnummer:
BCM847
Einleitung
Bipolarer (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Matched Pair 45V 100mA 250MHz 300mW Oberflächenaufbau SOT-666
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.
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