Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistorarrays
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 mA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
NPN, PNP
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
100 MHz
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 5mA, 100mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
45 V
Lieferanten-Gerätepaket:
6-TSSOP
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Strom - Sammlergrenze (maximal):
15nA (ICBO)
Leistung - Max.:
220mW
Packung / Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
200 @ 2mA, 5V
Basisproduktnummer:
847 v. Chr.
Einleitung
Bipolar (BJT) Transistor-Array NPN, PNP 45V 100mA 100MHz 220mW Oberflächenhalter 6-TSSOP
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
TRANS PREBIAS NPN/PNP

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
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