2N2915
fabricant:
Zentral Semiconductor Corp.
Beschreibung:
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verwalten.
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistorarrays
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
30 mA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
2 NPN (Doppel)
Typ der Montage:
Durchs Loch
Häufigkeit - Übergang:
60 MHz
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
-
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
45 V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-78-6
Mfr:
Zentral Semiconductor Corp.
Strom - Sammlergrenze (maximal):
-
Leistung - Max.:
600 mW
Packung / Gehäuse:
Metall TO-78-6 kann
Betriebstemperatur:
-
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
60 @ 10μA, 5V
Basisproduktnummer:
2N291
Einleitung
Bipolarer (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 30mA 60MHz 600mW Durch Loch TO-78-6
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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