2N3811
fabricant:
Zentral Semiconductor Corp.
Beschreibung:
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verwalten.
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistorarrays
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
50 mA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
2 PNP (zweifach)
Typ der Montage:
Durchs Loch
Häufigkeit - Übergang:
100 MHz
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
250mV @ 1mA, 100μA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
60 V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-78-6
Mfr:
Zentral Semiconductor Corp.
Strom - Sammlergrenze (maximal):
10nA (ICBO)
Leistung - Max.:
600 mW
Packung / Gehäuse:
Metall TO-78-6 kann
Betriebstemperatur:
-65°C | 200°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
300 @ 1mA, 5V
Basisproduktnummer:
2N380
Einleitung
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 100MHz 600mW durch Loch TO-78-6
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