Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistor-Arrays, vorgebildet
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 mA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
2 NPN - Vorverzerrt (Dual)
Häufigkeit - Übergang:
-
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
250mV @ 300μA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Widerstand - Basis (R1):
10 kOhm
Mfr:
Ein- und zweimal
Widerstand - Emitterbasis (R2):
47 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
187 mW
Packung / Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 10V
Basisproduktnummer:
SMUN5214
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) 2 NPN - Bipolartransistor (Dual) 50V 100mA 187mW Oberflächenbefestigung SC-88/SC70-6/SOT-363
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Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:

Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu ergreifen.

Die Zulassung ist abgeschlossen.

Die Ausrüstung ist mit einem Ausrüstungsgehalt von mehr als 100 kg.

NSBA143TDXV6T1

IMH20TR1G

NSBA143TDXV6T5G

NSVMUN5336DW1T1G

NSM21356DW6T1G

Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:

Die Ausrüstung ist mit einer Breite von

Wir haben eine Reihe von Problemen.

Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt.

Die Zulassung ist abgeschlossen.

NSM46211DW6T1G

EMF5XV6T5
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