NSVMUN5336DW1T1G
fabricant:
Ein- und zweimal
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistor-Arrays, vorgebildet
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 mA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
1 NPN, 1 PNP - Vorverzerrt (Dual)
Häufigkeit - Übergang:
-
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
250mV @ 300μA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Widerstand - Basis (R1):
100 kOhms
Mfr:
Ein- und zweimal
Widerstand - Emitterbasis (R2):
100 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA
Leistung - Max.:
187 mW
Packung / Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 10V
Basisproduktnummer:
NSVMUN5336
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Bipolartransistor (Dual) 50V 100mA 187mW Oberflächenaufbau SC-88/SC70-6/SOT-363
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