RN1908FE ((TE85L,F)
fabricant:
Toshiba Halbleiter und Speicher
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistor-Arrays, vorgebildet
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 mA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
2 NPN - Vorverzerrt (Dual)
Häufigkeit - Übergang:
250 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 250μA, 5mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
ES6
Widerstand - Basis (R1):
22 kOhms
Mfr:
Toshiba Halbleiter und Speicher
Widerstand - Emitterbasis (R2):
47 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
100nA (ICBO)
Leistung - Max.:
100mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln:
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
80 @ 10mA, 5V
Basisproduktnummer:
RN1908
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) 2 NPN - Bipolartransistor (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Oberflächenhalter ES6
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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RN1906, LF(CT |
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RN2901FE,LXHF(CT |
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RN2965 ((TE85L,F) |
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RN4905T5LFT |
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RN2704, LF |
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RN1907FE, LF(CT |
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RN2901, LF(CT |
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RN1907, LF(CT |
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RN4981FE, LF(CT |
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RN2910, LF(CT |
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