RN2965 ((TE85L,F)
fabricant:
Toshiba Halbleiter und Speicher
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistor-Arrays, vorgebildet
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 mA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
2 PNP - Vorverzerrt (Dual)
Häufigkeit - Übergang:
200 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 250μA, 5mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
US6
Widerstand - Basis (R1):
2.2 kOhms
Mfr:
Toshiba Halbleiter und Speicher
Widerstand - Emitterbasis (R2):
47 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
100nA (ICBO)
Leistung - Max.:
200mw
Packung / Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
80 @ 10mA, 5V
Basisproduktnummer:
RN2965
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) 2 PNP - Bipolartransistor (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Oberflächenhalter US6
Verwandte Produkte
RN1906, LF(CT
RN2901FE,LXHF(CT
RN4905T5LFT
RN2704, LF
RN1908FE ((TE85L,F)
RN1907FE, LF(CT
RN2901, LF(CT
RN1907, LF(CT
RN4981FE, LF(CT
RN1602 ((TE85L,F)
RN2910, LF(CT
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
RN1906, LF(CT |
|
|
|
|
RN2901FE,LXHF(CT |
|
|
|
|
RN4905T5LFT |
|
|
|
|
RN2704, LF |
|
|
|
|
RN1908FE ((TE85L,F) |
|
|
|
|
RN1907FE, LF(CT |
|
|
|
|
RN2901, LF(CT |
|
|
|
|
RN1907, LF(CT |
|
|
|
|
RN4981FE, LF(CT |
|
|
|
|
RN1602 ((TE85L,F) |
|
|
|
|
RN2910, LF(CT |
|
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ: