Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Daten zu erfassen.
fabricant:
Dioden eingebunden
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistor-Arrays, vorgebildet
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 mA
Produktstatus:
Veraltet
Transistortyp:
1 NPN, 1 PNP - Vorverzerrt (Dual)
Häufigkeit - Übergang:
200 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 250μA, 5mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-563
Widerstand - Basis (R1):
470 Ohm
Mfr:
Dioden eingebunden
Widerstand - Emitterbasis (R2):
10 kOhm
Strom - Sammlergrenze (maximal):
-
Leistung - Max.:
150 mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln:
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
56 @ 10mA, 5V
Basisproduktnummer:
DCX142
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Bipolartransistor (Doppel) 50V 100mA 200MHz 150mW Oberflächenhalter SOT-563
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