Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
fabricant:
Dioden eingebunden
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistor-Arrays, vorgebildet
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 mA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
1 NPN, 1 PNP - Vorverzerrt (Dual)
Häufigkeit - Übergang:
250 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-363
Widerstand - Basis (R1):
100 kOhms
Mfr:
Dioden eingebunden
Widerstand - Emitterbasis (R2):
100 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA (ICBO)
Leistung - Max.:
200mw
Packung / Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
82 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer:
Der Wert der Verbrennung ist zu messen.
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Bipolartransistor (Doppel) 50V 100mA 250MHz 200mW Oberflächenaufbau SOT-363
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
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