VS-50MT060WHTAPBF
fabricant:
Vishay General Halbleiter - Dioden-Abteilung
Beschreibung:
IGBT-Module 600V 114A 658W MTP
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
114 A
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Tray
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
12-MTP-Modul
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
3.2V @ 15V, 100A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
600 V
Lieferanten-Gerätepaket:
MTP
Mfr:
Vishay General Halbleiter - Dioden-Abteilung
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 150 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
µA 400
IGBT-Typ:
-
Leistung - Max.:
658 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
7.1 nF @ 30 V
Ausstattung:
Halbbrücke
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
50MT060
Einleitung
IGBT-Module Halbbrücke 600 V 114 A 658 W Fahrgestellmontage MTP
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
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