VS-ETF150Y65U Vishay Halbleiter
fabricant:
Vishay General Halbleiter - Dioden-Abteilung
Beschreibung:
IGBT MOD 650V 142A EMIPAK-2B
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete HalbleiterprodukteTransistorenIGBTsIGBT-Module
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
142 A
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Tray
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
EMIPAK-2B
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.06V @ 15V, 100A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
650 V
Lieferanten-Gerätepaket:
EMIPAK-2B
Mfr:
Vishay General Halbleiter - Dioden-Abteilung
Betriebstemperatur:
175°C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
100 μA
IGBT-Typ:
Graben
Leistung - Max.:
417 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
6.6 nF @ 30 V
Ausstattung:
Dreistufiger Wechselrichter
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
ETF150
Hervorheben:
Der Wert der Vermögenswerte wird in den folgenden Zahlen angegeben:
,VS-ETF150Y65U Vishay Halbleiter
,Vishay General Semiconductor
Einleitung
IGBT-Modul-Graben Drei-Ebenen-Wechselrichter 650 V 142 A 417 W Fahrgestell EMIPAK-2B
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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